特許
J-GLOBAL ID：200903011306140997

X線マスク並びにその製造方法および製造装置

発明者：
丸本 健二

丸本 健二 について

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矢部 秀毅

矢部 秀毅 について

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綾 淳

綾 淳 について

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吉瀬 幸司

吉瀬 幸司 について

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松葉 素子

松葉 素子 について

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松井 安治

松井 安治 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-233187
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135157
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】 高精度なX線マスクの構造、製造方法および製作装置を得る。【構成】 X線吸収体が成膜された基板を加熱すると、基板材料と吸収体材料の熱膨張係数の差により、応力は、室温での成膜後のアニール開始前のX線吸収体の状態Aからアニール効果発現点Bに変化する。加熱温度をさらに上げると、点Bで、応力は直線A-Bから離れ出し、結晶構造の変化や吸収体膜中に取り込まれたガスの脱離などにより、アニール効果が発現される。目標とする状態は室温でのアニール完了時点点Dで、この点Dを求めるために、直線A-Bが求められた時点で、直線A-Bに平行で、かつ応力または応力と相関する物理量が零となる点Dを通る直線D-D’を予め求めておくことにより、点Bを過ぎた後も応力をモニタし、点Dを通り、直線A-Bに平行な直線D-D’と交差するアニール停止点Cに達した時点で、アニールを停止し、基板を室温まで冷却する。
請求項（抜粋）：
X線吸収体を成膜した後、アニールによって膜応力を調整するX線マスクの製造方法において、X線吸収体が成膜された基板の温度上昇に伴う吸収体膜応力または応力に相関する物理量を連続計測し、その計測結果をもとにアニール完了温度を決定することを特徴とするX線マスクの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/16
引用特許：
審査官引用 (22件)
  • 特開昭62-142323
  • 特開平4-058516
  • 特開昭59-193455
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