特許

J-GLOBAL ID：200903011313506352

BGA型半導体装置及びその製造方法

発明者： 大高 達也 ,  斉藤 賢彦 ,  山岸 功 ,  高萩 茂治 ,  米本 隆治 ,  村上 元
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-345727
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189638
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 TABテープとスティッフナーとの貼付けを容易かつ低コストで行えるBGA型半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 表面にパターン3が形成されたTABテープ20の裏面を、そのTABテープ20を補強するためのスティッフナー4に貼り合わせると共に、上記パターン3上に半田ボール6を設けるTAB-BGA型半導体16の製造方法において、上記TABテープ20の基材10にガラス転移温度が180°C以上の熱可塑性ポリイミド系の接着性樹脂を用い、この樹脂基材10を230°C以上に加熱して接着性を持たせてスティッフナー4に直接貼り合わせる。

請求項（抜粋）：

表面にパターンが形成されたTABテープと、そのTABテープの裏面に設けられ上記TABテープを補強するためのスティッフナーと、上記パターン上に設けられた半田ボールとを備えたTAB-BGA型半導体装置において、上記TABテープの基材をガラス転移温度が180°C以上の熱可塑性ポリイミド系の接着性樹脂で形成したことを特徴とするBGA型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 21/60 301 A ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 23/12 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体ダイ用パッケージ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-018645   出願人：アドバンスト・セミコンダクター・アセンブリー・テクノロジー・インコーポレイテッド
• フイルムフレーム及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-224602   出願人：新光電気工業株式会社
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-172656   出願人：株式会社三井ハイテック