特許
J-GLOBAL ID：200903011326559722
電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-124855
公開番号（公開出願番号）：特開2009-278704
出願日： 2008年05月12日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：
【課題】還流ダイオードが小電流で逆回復する時のサ-ジ電圧や振動電圧を抑制するために、対向アームのIGBTのゲートオン抵抗を大きくする方法があるが、定常時の損失が大きくなる課題がある。【解決手段】ターンオフ時におけるゲート閾値電圧を検出し、この電圧値が所定値に対して高いか低いかを判定し、次のターンオン時のゲートオン抵抗、オン用ゲート電源電圧などのゲート駆動条件を切替える。従って、還流ダイオードの順方向電流が小さい時だけ、ゲート条件を切替えるので、定常時の損失は大きくならない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電力変換装置に用いる電圧駆動型半導体素子を駆動するゲート駆動装置において、ターンオフ時のゲート閾値電圧を検出する閾値電圧検出手段と、前記閾値電圧検出手段で検出したゲート閾値電圧値と予め定められた設定電圧値とを比較するゲート閾値電圧比較手段と、前記ゲート閾値電圧比較手段での比較結果に応じてターンオン用のゲート駆動条件を切替える切替手段とを備えることを特徴とする電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (23件)：
5H007AA17
, 5H007BB06
, 5H007CA01
, 5H007CB05
, 5H007CC01
, 5H007CC23
, 5H007DB03
, 5H007DC05
, 5H007FA01
, 5H007FA13
, 5H740AA04
, 5H740BA11
, 5H740BB04
, 5H740BB08
, 5H740BB10
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740HH05
, 5H740JA01
, 5H740JB01
, 5H740KK01
, 5H740MM05
, 5H740NN17
