有機EL表示体の製造方法、半導体素子の配置方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邊隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197800
公開番号（公開出願番号）：特開2003-015548
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】特性のばらつきの少ないトランジスタ(単結晶半導体を活性層とするトランジスタ)を用いたアクティブマトリックス型有機EL表示体を大面積の透明基板上に安価で作製する。【解決手段】微細構造の単位をシリコンウエハ上に多数個並列に形成する。この単位は、有機EL素子(画素)35の駆動素子(スイッチングトランジスタ34、ドライビングトランジスタ37、容量36)を含む。このシリコンウエハを分割して単位ブロック39を作製する。この単位ブロック39をガラス基板(表示用基板)52の所定位置に配置する。各画素35用の駆動素子を、信号線31、電源線32、走査線33、容量線38で接続する。

請求項（抜粋）：

有機EL素子とこの有機EL素子を駆動する半導体素子とを表示用基板上に備えた有機EL表示体の製造方法において、前記半導体素子を有する単位ブロックを、表示用基板の所定位置に配置する工程を有することを特徴とする有機EL表示体の製造方法。

IPC (9件)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , G09F 9/00 338 , H01L 21/336 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H05B 33/10 , H05B 33/12 , H05B 33/14

FI (10件)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , G09F 9/00 338 , H01L 27/12 B , H05B 33/10 , H05B 33/12 B , H05B 33/14 A , H01L 29/78 612 Z , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 627 D

Fターム (73件)：

3K007AB04 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007BB07 , 3K007CA01 , 3K007CA05 , 3K007CB01 , 3K007DA01 , 3K007DB03 , 3K007EB00 , 3K007FA01 , 3K007FA02 , 3K007GA00 , 5C094AA13 , 5C094AA14 , 5C094AA21 , 5C094AA42 , 5C094AA43 , 5C094AA48 , 5C094AA53 , 5C094AA55 , 5C094BA03 , 5C094BA12 , 5C094BA27 , 5C094CA19 , 5C094CA20 , 5C094CA24 , 5C094CA25 , 5C094DA09 , 5C094DA12 , 5C094DB01 , 5C094DB04 , 5C094DB10 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EA10 , 5C094EB02 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB01 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094FB20 , 5C094GB10 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110DD02 , 5F110DD21 , 5F110DD25 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ16 , 5G435AA04 , 5G435AA16 , 5G435AA17 , 5G435BB05 , 5G435CC09 , 5G435CC12 , 5G435EE32 , 5G435EE37 , 5G435EE41 , 5G435HH12 , 5G435HH13 , 5G435HH14 , 5G435KK05 , 5G435KK09 , 5G435KK10

引用特許：

審査官引用 (3件)

有機EL表示体の製造方法、半導体素子の配置方法、半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-199982 出願人：セイコーエプソン株式会社
液晶表示素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-144352 出願人：ローム株式会社
表示装置および表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-059675 出願人：シャープ株式会社

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