有機EL表示体の製造方法、半導体素子の配置方法、半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-199982
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332383
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】特性のばらつきの少ないトランジスタ(単結晶半導体を活性層とするトランジスタ)を用いたアクティブマトリックス型有機EL表示体を大面積の透明基板上に安価で作製する。【解決手段】微細構造の単位をシリコンウエハ上に多数個並列に形成する。この単位は、有機EL素子(画素)35の駆動素子(スイッチングトランジスタ34、ドライビングトランジスタ37、容量36)を含む。このシリコンウエハを分割して単位ブロック39を作製する。この単位ブロック39をガラス基板(表示用基板)52の所定位置に配置する。各画素35用の駆動素子を、信号線31、電源線32、走査線33、容量線38で接続する。

請求項（抜粋）：

有機EL素子とこの有機EL素子を駆動する半導体素子とを表示用基板上に備えた有機EL表示体の製造方法において、前記半導体素子を有する単位ブロックを、表示用基板の所定位置に配置する工程を有することを特徴とする有機EL表示体の製造方法。

IPC (8件)：

H05B 33/10 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H05B 33/12 , H05B 33/14

FI (7件)：

H05B 33/10 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , H01L 27/12 B , H05B 33/12 B , H05B 33/14 A , H01L 29/78 627 D

Fターム (26件)：

3K007AB04 , 3K007BA06 , 3K007BB07 , 3K007CA03 , 3K007DA00 , 3K007DB03 , 3K007EB00 , 3K007FA01 , 5C094AA14 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094AA60 , 5C094BA03 , 5C094CA19 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EB02 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD21 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110QQ16

引用特許：

審査官引用 (10件)

電子アセンブリのウェブ・プロセス相互接続
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-605264 出願人：エイリアン・テクノロジイ・コーポレーション
基板上に微細構造を組み付ける方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-166633 出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
アセンブリを形成するための装置および方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-597840 出願人：エイリアン・テクノロジイ・コーポレーション

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