特許
J-GLOBAL ID：200903011360772044
半導体装置の製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
鈴木 俊一郎
, 牧村 浩次
, 高畑 ちより
, 鈴木 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-366303
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260204
出願日： 2004年12月17日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】 微小チップのボンディング面に適正量の接着剤を容易に適用でき、回路面に対する汚染を低減できる半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。 【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、 半導体ウエハが個片化されたウエハ形状のチップ群が、伸長可能な基材と該基材より剥離可能に積層された脆質状体の接着剤層とからなる接着シートの接着剤層上に、該チップ群のボンディング面が貼着された状態とする工程、 該接着シートをエキスパンドによりチップ間の間隔を離間するとともに該接着シートの接着剤層を破断する工程、 チップに接着剤層を同伴したままピックアップを行い、ボンディング面に形成された接着剤層を介してボンディングを行う工程を含む。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体ウエハが個片化されたウエハ形状のチップ群が、伸長可能な基材と該基材より剥離可能に積層された脆質状体の接着剤層とからなる接着シートの接着剤層上に、該チップ群のボンディング面が貼着された状態とする工程、
該接着シートのエキスパンドにより、チップ間の間隔を離間するとともに該接着シートの接着剤層を破断する工程、
チップに接着剤層を同伴したままピックアップを行い、ボンディング面に形成された接着剤層を介してボンディングを行う工程を含む半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/52 C
, H01L21/52 E
5F047AA11
, 5F047BA21
, 5F047BA33
, 5F047BA34
, 5F047BA35
, 5F047BA54
, 5F047BB13
, 5F047BB19
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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