特許
J-GLOBAL ID：200903058361930405

半導体基板の切断方法

発明者：
福世 文嗣

福世 文嗣 について

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福満 憲志

福満 憲志 について

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内山 直己

内山 直己 について

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杉浦 隆二

杉浦 隆二 について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-351600
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338467
出願日： 2002年12月03日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：
【要約】【課題】 ダイボンド樹脂層を介在させてシートが貼り付けられた半導体基板をダイボンド樹脂層と共に効率良く切断し得る半導体基板の切断方法を提供する。【解決手段】 多光子吸収を発生させてシリコンウェハ11の内部に溶融処理領域13による切断予定部9を形成した後、シリコンウェハ11に貼り付けられた粘着シート20を拡張させる。これにより、切断予定部9に沿ってシリコンウェハ11が半導体チップ25に精度良く切断される。このとき、隣り合う半導体チップ25,25の対向する切断面25a,25aは密着した状態から離間するため、ダイボンド樹脂層23も切断予定部9に沿って切断される。よって、基材21を切断しないようにしてシリコンウェハ11及びダイボンド樹脂層23をブレードにより切断する場合に比べ、はるかに効率良くシリコンウェハ11及びダイボンド樹脂層23を切断することが可能になる。
請求項（抜粋）：
ダイボンド樹脂層を介在させてシートが貼り付けられた半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記半導体基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、当該改質領域でもって切断予定部を形成する工程と、前記切断予定部を形成する工程後、前記シートを拡張させることにより前記切断予定部に沿って前記半導体基板及び前記ダイボンド樹脂層を切断する工程と、を備えたことを特徴とする半導体基板の切断方法。
IPC (5件)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/00 320 ,  B28D 7/04 ,  H01L 21/52 ,  B23K101:40
FI (5件)：
B23K 26/00 320 E ,  B28D 7/04 ,  H01L 21/52 G ,  B23K101:40 ,  H01L 21/78 B
Fターム (18件)：
3C069AA01 ,  3C069BA08 ,  3C069BB03 ,  3C069BB04 ,  3C069CA05 ,  3C069CB01 ,  3C069EA01 ,  3C069EA02 ,  3C069EA05 ,  4E068AA02 ,  4E068AD01 ,  4E068CA01 ,  4E068CA03 ,  4E068CA11 ,  4E068DA11 ,  5F047BB03 ,  5F047BB19 ,  5F047FA21
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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