炭素膜の製造方法および炭素膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-037881
公開番号（公開出願番号）：特開2006-306704
出願日： 2006年02月15日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：

【課題】炭素膜の成膜効率、成膜速度、膜厚制御、膜質制御を容易に向上し、また、メンテナンスに手間がかからない炭素膜の製造方法を提供すること。【解決手段】本炭素膜の製造方法は、熱エネルギが付与されている雰囲気内に炭素を含むガスを触媒金属に接触させて炭素膜を製造する方法であって、前記雰囲気内に電気的エネルギを付与して前記炭素膜の成膜効率を向上する方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

熱エネルギが付与されている雰囲気内に炭素を含むガスを触媒金属に接触させて炭素膜を製造する方法において、前記雰囲気内に放電現象が発生しない領域の電気的エネルギを付与して前記炭素膜の成膜をアシストする、ことを特徴とする炭素膜の製造方法。

IPC (2件)：

C01B 31/02 , H01J 9/02

FI (2件)：

C01B31/02 101F , H01J9/02 B

Fターム (18件)：

4G146AA11 , 4G146AB07 , 4G146AD29 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BC08 , 4G146BC18 , 4G146BC27 , 4G146BC33B , 4G146BC42 , 4G146BC44 , 5C127AA01 , 5C127BA09 , 5C127BA15 , 5C127BB05 , 5C127DD12 , 5C127EE02 , 5C127EE04

引用特許：

出願人引用 (1件)

電子放出素子、電子源、画像形成装置及び電子放出素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-201326 出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (4件)

カーボンナノチューブ接合体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-402668 出願人：株式会社東芝
カーボンナノチューブの製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-271292 出願人：株式会社デンソー, 丸山茂夫
電子サイクロトロン共鳴プラズマ成膜プロセスおよび一重壁カーボンナノチューブのための装置ならびにそれによって得られたナノチューブ
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-537667 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク

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