特許
J-GLOBAL ID:200903011413956991
ウェーハ処理装置及び方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-043111
公開番号(公開出願番号):特開2004-260172
出願日: 2004年02月19日
公開日(公表日): 2004年09月16日
要約:
【課題】汚染物質を減らすことができる半導体素子を製造する装置と方法を提供する。【解決手段】ウェーハコンテナ120からウェーハ工程処理装置150にウェーハを移送するウェーハ移送装置100は、第1ガスを供給する第1ガス流入部を有するフローチャンバと、フローチャンバに第2ガスを供給する第2ガス流入部であるガスノズル110を含み、第2ガスが第1ガスと混合して流れることによって、ウェーハコンテナ120に流入される汚染物質の量を減少させる。【選択図】図6
請求項(抜粋):
ウェーハ処理装置において、
内部に第1ガスを供給する第1ガス流入部を有するフローチャンバと、
ウェーハ貯蔵装置に結合しており、ウェーハが前記フローチャンバに搬入される通路を提供するウェーハ搬入部と、
ウェーハ工程処理装置に結合しており、ウェーハが前記フローチャンバから搬出される通路を提供するウェーハ搬出部と、
前記フローチャンバ内に配置され、前記ウェーハ搬入部から前記ウェーハ搬出部にウェーハを移動するロボット装置と、
前記フローチャンバに第2ガスを供給する第2ガス流入部とを含み、
前記第2ガスが前記第1ガスと混合して前記ウェーハ貯蔵装置に流入されることによって前記ウェーハ貯蔵装置に流入される汚染物質の量を減少させることを特徴とするウェーハ処理装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (15件):
5F031CA02
, 5F031DA08
, 5F031EA14
, 5F031FA01
, 5F031FA11
, 5F031GA02
, 5F031GA44
, 5F031MA04
, 5F031MA11
, 5F031MA23
, 5F031NA03
, 5F031NA04
, 5F031NA07
, 5F031NA16
, 5F031PA23
引用特許:
出願人引用 (2件)
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米国特許6.074,154号明細書
-
米国特許6,032,704号明細書
審査官引用 (5件)
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