エッチング方法、パターン形成方法、薄膜トランジスタの製造方法及びエッチング液

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：西山恵三 , 内尾裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-328204
公開番号（公開出願番号）：特開2008-141113
出願日： 2006年12月05日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：

【課題】特定のアモルファス酸化物半導体を選択的にエッチングする。【解決手段】ガリウム又は亜鉛の少なくともいずれか一方とインジウムとを含むアモルファス酸化物半導体膜のエッチング方法であって、アルカリ性のエッチング液によって前記アモルファス酸化物半導体膜の選択エッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ガリウム又は亜鉛の少なくともいずれか一方とインジウムとを含むアモルファス酸化物半導体膜のエッチング方法であって、アルカリ性のエッチング液によって前記アモルファス酸化物半導体膜の選択エッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/308 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L21/308 C , H01L29/78 618B , H01L29/78 627C

Fターム (29件)：

5F043AA18 , 5F043BB12 , 5F043GG10 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB20 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK33 , 5F110QQ05

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタ型基板及び薄膜トランジスタ型液晶表示装置及び薄膜トランジスタ型基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-070113 出願人：出光興産株式会社

審査官引用 (1件)

薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-081117 出願人：カシオ計算機株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

前のページに戻る