パターン欠陥検査装置及びパターン欠陥検査方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-029352
公開番号（公開出願番号）：特開平9-222398
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】位相シフトパターンにより形成されたフォトマスクの欠陥検査、特にピンホール欠陥の検出感度を向上させる。【解決手段】このパターン欠陥検査装置は、フォトマスク2上の比較的大きなパターンをフォトダイオードアレイ5により観察し、フォトマスク2面に対して垂直方向に対物レンズ4或いはフォトマスク2を搭載したテーブル1を駆動させ、フォトダイオードアレイ5からの信号が最大振幅を示すフォトマスク2面に対して垂直方向の位置を第1の焦点位置と決定し記憶し、上記第1の焦点位置に予め記憶された量を加えて第2の焦点位置とし、更にフォトマスク2の種類に応じて第2の焦点位置を変更し、第2の焦点位置でフォトマスク2の欠陥検査を行う。

請求項（抜粋）：

その一部にパターンが形成された試料に所定の波長の光を照射する光源と、上記パターンを透過あるいは反射した光を対物レンズを介して受光する受光手段と、上記受光素子により受光されたパターン像に係る測定データに基づいて試料面上のパターンの欠陥を検出し検査するパターン欠陥検査装置において、上記試料のパターンの一部に光の波長の位相を操作する部分が設けられている試料を検査する場合において、上記試料と対物レンズとの距離を、当該距離を変化させたときに上記パターンに光を照射して得られた反射光の検出出力が最大振幅となる第1の焦点位置から、所定量だけ変更して検査することを特徴とするパターン欠陥検査装置。

IPC (2件)：

G01N 21/88 , H01L 21/66

FI (2件)：

G01N 21/88 E , H01L 21/66 J

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-328549
特開平1-156641
特開平4-146437

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