特許

J-GLOBAL ID：200903011532657404

太陽電池及びその製造方法

発明者： 池ノ上 芳章 ,  三木 久幸 ,  塙 健三 ,  佐々木 保正 ,  加治 亘章 ,  横内 仁 ,  今田 涼子
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-038004
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235878
出願日： 2008年02月19日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：

【課題】産業上有益な高効率光変換可能な太陽電池及びその製造方法の提供。【解決手段】異種基板上にIII族窒化物半導体からなるバッファー層と、pn接合を有するIII族窒化物半導体層(p型層/n型層)を具備する太陽電池であって、バッファー層とpn接合を有するIII族窒化物半導体層からなる群より選ばれた少なくとも一種がスパッタ法によって形成された化合物半導体層を有することを特徴とする太陽電池である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にIII族窒化物半導体からなるバッファー層と、pn接合を有するIII族窒化物半導体層(p型層/n型層)とを具備する太陽電池であって、 バッファー層とpn接合を有するIII族窒化物半導体層とからなる群より選ばれた少なくとも一種がスパッタ法によって形成された化合物半導体層を有することを特徴とする太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 A

Fターム (7件)：

5F051AA08 ,  5F051BA14 ,  5F051CB15 ,  5F051CB24 ,  5F051DA03 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 光計測装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-169841   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• タンデム型太陽電池およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-172999   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 集光型太陽光発電装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-135619   出願人：大同特殊鋼株式会社
• 米国特許出願公開2004-0118451号公報
  
• 特開昭60-39819号公報
  

審査官引用 (2件)

• III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-121692   出願人：豊田合成株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-078294   出願人：日亜化学工業株式会社