特許

J-GLOBAL ID：200903011534706925

阻止ゾーンを半導体基板に製造する方法、および、阻止ゾーンを有する半導体部品

発明者： ライナー,バーテルメス ,  アントン,マウダー ,  フランツ ヨーゼフ,ニーデルンオストハイデ ,  ハンス-ヨアヒム,シュルツェ
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-159824
公開番号（公開出願番号）：特開2006-344977
出願日： 2006年06月08日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：

【課題】半導体基板に埋設された阻止ゾーンを形成する方法、及び阻止ゾーンを有する半導体部品の提供。【解決手段】第1及び第2の面(101,102)を有し、第1伝導型の基本ドーピングがなされた半導体基板(100)を準備する工程と、半導体基板(100)における第1及び第2の面(101,102)の一方に、陽子を照射し、陽子が、照射面(101)と離間して配された、半導体基板(100)の第1の領域(111)に導入されるようにする工程と、半導体基板(100)を所定時間、所定温度に加熱する加熱処理を行い、第1の領域(111)、及び該第1の領域(111)と照射面(101)で隣接する第2の領域の両方で、水素によって誘発されたドナーが生成されるようにする工程と、を含む。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

半導体基板(100)に、埋設された阻止ゾーンを形成する方法であって、 第1及び第2の面(101,102)を有し、第1伝導型の基本ドーピングがなされた半導体基板(100)を準備する工程と、 半導体基板(100)における第1及び第2の面(101,102)の一方に、陽子を照射し、陽子が、照射面(101)と離間して配された、半導体基板(100)の第1の領域(111)に導入されるようにする工程と、 半導体基板(100)を所定時間、所定温度に加熱する加熱処理を行い、第1の領域(111)、及び該第1の領域(111)と照射面(101)で隣接する第2の領域の両方で、水素によって誘発されたドナーが生成されるようにする工程と、を含む方法。

IPC (7件)：

H01L 21/265 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/322

FI (7件)：

H01L21/265 Z ,  H01L29/91 C ,  H01L29/91 A ,  H01L29/78 652G ,  H01L29/78 655B ,  H01L29/78 658A ,  H01L21/322 L

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 自己消弧機能を有する半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-193543   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-045632   出願人：富士電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-395241   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-196471