特許
J-GLOBAL ID：200903011541588377

降圧型スイッチング電源回路

発明者：
細谷 達也

細谷 達也 について

, 
竹村 博

竹村 博 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-154045
公開番号（公開出願番号）：特開2000-350440
出願日： 1999年06月01日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 スイッチング素子としてN型MOSFETを用い、そのN型MOSFETに生じるオン抵抗による電圧降下を利用した過電流保護回路を有する降圧型スイッチング電源回路において、低損失化を実現することができる。【解決手段】 スイッチング素子がN型MOSFET11からなり、そのゲートに印加する電圧を発生させるブートストラップ回路15を備えてなるとともに、N型MOSFET11のオン抵抗による電圧降下を検出して、それが所定の第1の電圧を超えるとN型MOSFET11のオン時間を徐々に制限し、第1の電圧より高い第2の電圧に到達した時点でオン時間をゼロまたは十分に短い時間にする過電流保護回路を含む制御回路12を備える。【効果】 降圧型スイッチング電源回路の低損失化、低価格化とスイッチング素子の過熱保護を図ることができる。
請求項（抜粋）：
直流電源とスイッチング素子と該スイッチング素子を制御する制御回路を有し、前記直流電源からの直流入力電圧を前記スイッチング素子でオンオフして安定な出力電圧を得るようにした降圧型スイッチング電源回路において、前記スイッチング素子がN型MOSFETからなり、該N型MOSFETのゲートに印加する電圧を発生させるブートストラップ回路を備えるとともに、前記N型MOSFETのオン抵抗による電圧降下を検出して、該電圧降下が所定の第1の電圧を超えると前記N型MOSFETのオン時間を徐々に制限し、前記第1の電圧より高い第2の電圧に到達した時点でオン時間をゼロまたは十分に短い時間にする過電流保護回路を備えてなることを特徴とする降圧型スイッチング電源回路。
FI (2件)：
H02M 3/155 C ,  H02M 3/155 T
Fターム (13件)：
5H730AA20 ,  5H730BB13 ,  5H730BB57 ,  5H730DD04 ,  5H730DD13 ,  5H730EE08 ,  5H730EE10 ,  5H730EE14 ,  5H730XX03 ,  5H730XX15 ,  5H730XX26 ,  5H730XX31 ,  5H730XX47
引用特許：
審査官引用 (4件)
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