半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-153793
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004138
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】コンタクトホールにおけるエッチング時に、エッチングのし過ぎによってコンタクトホールの側壁にバリア膜によるひさしが生じることを防止する。【解決手段】コンタクトホール5の側壁に、この側壁がエッチングされることを防止するための保護膜6を形成する。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に形成され外部からの水分の侵入を防止するバリア膜とを有し、絶縁膜とバリア膜とに基板に達するまでの深さのコンタクトホールが形成されている半導体装置において、コンタクトホールの側壁に、この側壁をエッチングから保護する保護膜を備えたことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-212451
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-221082 出願人：松下電子工業株式会社
特開平2-158132

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