特許
J-GLOBAL ID：200903011572239265

3C-SiCエピタキシャル薄膜の作製方法及び同方法で作製したSiCエピタキシャル薄膜

発明者：
楠森 毅

楠森 毅 について

, 
武藤 八三

武藤 八三 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (1件)： 須藤 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-396025
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159031
出願日： 2003年11月26日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】結晶格子欠陥の一つであるダブル ポジショニング バウンダリー(DPB)の生成を抑制した3C-SiCエピタキシャル薄膜の作製方法及びその製品を提供する。【解決手段】Si単結晶基板又は結晶性Si膜基板の上にSiC薄膜を作製する過程で、基板の表面をクリーニングした後に酸化膜で被い、その後、真空中で加熱して、酸化膜を蒸発させて得られる清浄な基板表面に、成膜を行うことよりなる、DPBのないSiCエピタキシャル薄膜の作製方法、同方法で作製した3C-SiCヘテロエピタキシャル薄膜、及び該3C-SiCエピタキシャル薄膜からなる半導体デバイス。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
炭化珪素(SiC)ヘテロエピタキシャル薄膜の結晶格子欠陥の1つである、ダブル ポジショニング バウンダリー(DPB)の生成を抑制して、SiCエピタキシャル薄膜を作製する方法であって、Si単結晶基板又は結晶性Si膜基板の上にSiC薄膜を作製する過程で、基板の表面をクリーニングした後に酸化膜で被い、その後、真空中で加熱し、被った酸化膜を蒸発させて得られる清浄な基板表面に、成膜を行うことでDPBの生成を抑制することを特徴とする、DPBのないSiCエピタキシャル薄膜の作製方法。
IPC (3件)：
H01L21/203 ,  C23C14/06 ,  C30B29/36
FI (3件)：
H01L21/203 Z ,  C23C14/06 E ,  C30B29/36 A
Fターム (24件)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DA03 ,  4G077EA02 ,  4G077ED05 ,  4G077EE03 ,  4G077EE04 ,  4G077HA06 ,  4G077SA04 ,  4G077SB09 ,  4K029AA06 ,  4K029BA56 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB20 ,  4K029FA04 ,  5F103AA08 ,  5F103DD17 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103PP02 ,  5F103PP05 ,  5F103PP20 ,  5F103RR06
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 結晶性SiC薄膜の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-058690   出願人：株式会社大熊エンジニアリング, 株式会社プラズマシステム
  • 炭化珪素薄膜の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-299608   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
引用文献：
審査官引用 (1件)

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