特許

J-GLOBAL ID：200903074417200540

炭化珪素薄膜の製造方法

発明者： 坪内 信輝 ,  茶谷原 昭義 ,  杢野 由明 ,  木野村 淳 ,  堀野 裕治
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-299608
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092263
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】低エネルギーの特定のイオンを用いることにより、シリコンウェハを1000°Cより高い温度に加熱することなく、炭化珪素薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】シリコンウェハ上に炭素を含むイオンと珪素を含むイオンとを低エネルギーで、同時または交互に照射し、シリコンウェハ上に単結晶炭化珪素薄膜を形成させる炭化珪素薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

シリコンウェハに炭素を含むイオンと珪素を含むイオンとを低エネルギーで、同時または交互に照射し、シリコンウェハ上に単結晶炭化珪素薄膜を形成させる炭化珪素薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/48 ,  C30B 29/36

FI (3件)：

H01L 21/203 M ,  C23C 14/48 A ,  C30B 29/36 A

Fターム (24件)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DA20 ,  4G077EA02 ,  4G077EJ03 ,  4G077HA06 ,  4K029AA06 ,  4K029BA56 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  4K029EA01 ,  4K029EA08 ,  4K029FA04 ,  5F103AA06 ,  5F103BB09 ,  5F103BB14 ,  5F103BB55 ,  5F103DD17 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103KK03 ,  5F103KK10 ,  5F103NN01 ,  5F103PP02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 炭化ケイ素への不純物ドーピング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-273445   出願人：工業技術院長, 株式会社イオン工学研究所
• 特開平4-114995
  
• 炭化珪素薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-175433   出願人：松下電器産業株式会社