特許
J-GLOBAL ID:200903011681581755

半導体パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-322462
公開番号(公開出願番号):特開2000-150709
出願日: 1998年11月12日
公開日(公表日): 2000年05月30日
要約:
【要約】【課題】 半田接合により実装する際、実装基板との間の接合強度が高く、良好な半田接合信頼性を有する半導体パッケージを提供する。【解決手段】 本BGA型半導体パッケージ50は、インタポーザ基板12の対向する両周縁部51A、Bに、それぞれ、形状記憶合金製の棒状の2本の支持柱52A、Bを備えている。支持柱52は、変態点以上の温度では下面に沿って延在し、変態点以上の温度では、インタポーザ基板12の下面から下方に突起、延在する。半導体パッケージ50を実装する際には、先ず、実装基板28上の正確な位置に半導体パッケージを装着し、リフロー炉で加熱することにより、半田ボールが溶融する。半田ボールが溶融している間に、リフロー炉の熱により半導体パッケージ50に設けられた形状記憶合金製の支持柱52が、突起し、下方に延在する。支持柱が、半導体パッケージを上方に押し上げることにより、半田接合部54は、円柱状もしくは鼓形状に形成され、くびれの無い形状、即ち応力の集中しない良好な形状になる。
請求項(抜粋):
半田接合により実装基板に実装する半導体パッケージにおいて、半導体パッケージの下面の対向する両周縁部に、それぞれ、形状記憶合金製の棒状の支持柱を備え、支持柱は、変態点以上の温度では下面に沿って延在し、形状記憶合金の変態点以上の温度では、半導体パッケージの下面から下方に突起、延在することを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (2件):
H01L 23/12 ,  H01L 21/60 301
FI (2件):
H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 301 A
Fターム (3件):
5F044KK16 ,  5F044LL04 ,  5F044LL17
引用特許:
審査官引用 (7件)
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