特許

J-GLOBAL ID：200903011774103942

半導体の結晶成長方法

発明者： 柴田 真佐知
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-240384
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050585
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 簡単な方法で低欠陥の半導体が得られる半導体の結晶成長方法を提供する。【解決手段】 単結晶基板1上にアルミニウム層を形成し、そのアルミニウム層の表面を陽極酸化して得られる多孔質アルミナ層2上にIII 族窒化物結晶層3を成長させるという簡単な方法により、低欠陥の半導体が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上にアルミニウム層を形成し、そのアルミニウム層の表面を陽極酸化して得られる多孔質アルミナ層上に、上記基板と異なる材料からなる半導体の単結晶を成長させることを特徴とする半導体の結晶成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (19件)：

5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045HA01 ,  5F045HA06 ,  5F045HA11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 化合物半導体層含有基板およびその製造方法ならびにこれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-207632   出願人：松下電子工業株式会社
• ナノ構造体とその製造方法、電子放出素子及びカ-ボンナノチュ-ブデバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-047540   出願人：キヤノン株式会社
• 化合物半導体の結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-338881   出願人：日本電気株式会社
• 物体の分離装置及びその方法並びに半導体基体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-361015   出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Self-ordered pore structure of anodized aluminum on silicon and pattern transfer