特許
J-GLOBAL ID:200903011790132618

荷電粒子ビーム装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松下 義治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-251415
公開番号(公開出願番号):特開2007-066710
出願日: 2005年08月31日
公開日(公表日): 2007年03月15日
要約:
【課題】 薄片化試料の配置状況に応じて、正確かつ簡単に気体イオンビームの照射角度を制御することが可能な荷電粒子ビーム装置を提供することを課題とする。【解決手段】 試料を加工して薄片化試料2を作成するとともに薄片化試料2を観察する集束イオンビーム装置3、及び薄片化試料2を観察する走査型電子顕微鏡4と、薄片化試料2の表面に気体イオンビーム12を照射して仕上げ加工をする気体イオンビーム照射装置5と、薄片化試料2が固定され且つ少なくとも1以上の回転軸を有する試料ステージ6と、試料ステージ6に対する薄片化試料2の位置関係を認識する試料姿勢認識手段7と、薄片化試料2の表面または裏面に対する気体イオンビーム12の入射角度を所望の値にするために、姿勢認識手段7により認識した試料姿勢と気体イオンビーム照射装置5の取り付け角度に基づき試料ステージ6を制御する試料ステージ制御手段8を具備する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
試料を加工して薄片化試料を作成するとともに当該薄片化試料を観察する集束イオンビーム装置と、前記薄片化試料を観察する走査型電子顕微鏡と、前記薄片化試料の表面に気体イオンビームを照射して仕上げ加工をする気体イオンビーム照射装置と、前記薄片化試料が固定され且つ少なくとも1以上の回転軸を有する試料ステージと、前記試料ステージに対する前記薄片化試料の位置関係を認識する試料姿勢認識手段と、前記薄片化試料の表面または裏面に対する前記気体イオンビームの入射角度を所望の値にするために、前記姿勢認識手段により認識した試料姿勢と前記気体イオンビーム照射装置の鏡筒の取り付け角度に基づき試料ステージを制御する試料ステージ制御手段とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
IPC (6件):
H01J 37/30 ,  H01J 37/28 ,  H01J 37/317 ,  H01J 37/20 ,  G01N 1/28 ,  G01N 1/32
FI (6件):
H01J37/30 Z ,  H01J37/28 B ,  H01J37/317 D ,  H01J37/20 A ,  G01N1/28 G ,  G01N1/32 B
Fターム (13件):
2G052AA13 ,  2G052AD32 ,  2G052EC14 ,  2G052EC18 ,  2G052GA34 ,  5C001AA01 ,  5C001AA05 ,  5C033UU03 ,  5C033UU10 ,  5C034AA02 ,  5C034AA09 ,  5C034AB04 ,  5C034DD09
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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