特許

J-GLOBAL ID：200903011814001439

疎水性ウェーハを洗浄/乾燥する方法および装置

発明者： ユーフェイ チェン ,  ブライアン ジェイ. ブラウン ,  ボリス フィッシュキン ,  フレッド シー. レデカー
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-255856
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185523
出願日： 2000年08月25日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】 疎水性ウェーハを洗浄する優れた方法および装置を提供する。【解決手段】 疎水性ウェーハを洗浄するために界面活性剤を使用する方法および装置が提供される。第1の態様では、本方法は、純DI水をウェーハへ供給することなくウェーハを洗浄および乾燥することができる。第2の態様では、本方法は、界面活性剤溶液がウェーハからリンスされると直ちに、またはその前にDI水の供給が停止するように、短い時間だけ純DI水をウェーハへ供給することによってウェーハを洗浄することができ、その後、ウェーハが乾燥される。別の態様では、疎水性ウェーハは、洗浄装置間で移送される間、界面活性剤で湿潤されたままであり、希釈界面活性剤により、または短時間のDI水の噴霧によりリンスされた後、乾燥される。

請求項（抜粋）：

疎水性ウェーハを洗浄する方法であって、第1洗浄装置内で界面活性剤含有溶液を疎水性ウェーハの表面へ供給し、それによって界面活性剤の層を前記疎水性ウェーハの表面上へ形成するステップと、前記界面活性剤層が上部に形成された疎水性ウェーハを第2洗浄装置へ移送するステップと、前記第2洗浄装置内で疎水性ウェーハの表面を純DI水でリンスするステップと、前記第2洗浄装置内で疎水性ウェーハを乾燥するステップと、を備え、純DI水は前記リンスするステップにおいてのみ疎水性ウェーハへ供給され、疎水性ウェーハを第2洗浄装置へ移送する前記ステップは、疎水性ウェーハが第2洗浄装置へ移るときに界面活性剤含有溶液の層を前記疎水性ウェーハ上に維持するステップを含んでいる、方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 644 ,  H01L 21/304 651 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/02 ,  B08B 3/08

FI (6件)：

H01L 21/304 647 B ,  H01L 21/304 644 C ,  H01L 21/304 651 G ,  H01L 21/304 651 H ,  B08B 3/02 B ,  B08B 3/08 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 基板の処理方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-284466   出願人：島田理化工業株式会社
• 洗浄方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-148606   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
• 洗浄/乾燥方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-251919   出願人：富士通株式会社