特許

J-GLOBAL ID：200903011816572212

表示装置とその製造方法

発明者： 崔 泰 榮 ,  宋 根 圭 ,  趙 承 奐
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-015903
公開番号（公開出願番号）：特開2007-201476
出願日： 2007年01月26日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【課題】薄膜トランジスタの特性が向上した表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、絶縁基板と;絶縁基板上に形成され、導電膜を含むデータ配線と;導電膜と電気的に接続されている少なくとも1つのソース電極と、ソース電極と離間するようにソース電極の周縁に沿って形成されているドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと;導電膜と電気的に接続されている画素電極とを含むことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成され、導電膜を含むデータ配線と、 前記導電膜と電気的に接続されている少なくとも1つのソース電極と、前記ソース電極と離間するように前記ソース電極の周縁に沿って形成されているドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、 前記導電膜と電気的に接続されている画素電極と、 を含むことを特徴とする表示装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/417 ,  H01L 51/05 ,  G02F 1/136

FI (6件)：

H01L29/78 616T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/44 P ,  H01L29/50 M ,  H01L29/28 100A ,  G02F1/1368

Fターム (69件)：

2H092JA24 ,  2H092JA29 ,  2H092JA30 ,  2H092JA34 ,  2H092JA38 ,  2H092JA40 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA09 ,  2H092KA12 ,  2H092KA13 ,  2H092KA18 ,  2H092KB25 ,  2H092MA01 ,  2H092NA21 ,  2H092PA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104FF11 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110HM17 ,  5F110NN44 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-295771   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタ、画像表示素子および画像表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-245322   出願人：奇美電子股ふん有限公司
• トランジスタ及びそれを備える表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-300780   出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社