特許
J-GLOBAL ID:200903024795855345

薄膜トランジスタ、画像表示素子および画像表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 酒井 宏明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-245322
公開番号(公開出願番号):特開2004-087682
出願日: 2002年08月26日
公開日(公表日): 2004年03月18日
要約:
【課題】継続した通電状態での使用に対して、閾値電圧の変動を抑制できる薄膜トランジスタを実現すること。【解決手段】中心付近に配設されたソース/ドレイン領域1と、ソース/ドレイン領域1の外周に接触し、ソース/ドレイン領域1の外周を覆うよう配設された半導体層2と、半導体層2の外周に接触し、半導体層2の外周を覆うよう配設され、ソース/ドレイン領域1の電位よりも高電位の状態に維持されたソース/ドレイン領域3とを備えた構造を有する。また、ソース/ドレイン領域1の外周と、ソース/ドレイン領域3の内周は、互いが同心円となるような形状を有する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
第1のソース/ドレイン電極に接続され、所定の電位を有する第1のソース/ドレイン領域と、 第2のソース/ドレイン電極に接続され、前記第1のソース/ドレイン領域の外周全体を覆うよう配設され、かつ少なくとも動作時に前記第1のソース/ドレイン領域よりも高い電位を有する第2のソース/ドレイン領域と、 前記第1のソース/ドレイン領域と前記第2のソース/ドレイン領域との間に配設される半導体層と、 前記半導体層中にチャネルを誘起させるゲート電極と、 を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件):
H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H05B33/14
FI (6件):
H01L29/78 616T ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365Z ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 617K
Fターム (43件):
3K007AB11 ,  3K007BA06 ,  3K007BB07 ,  3K007DB03 ,  3K007GA04 ,  5C094AA21 ,  5C094AA31 ,  5C094AA48 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094FA01 ,  5C094FB01 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094FB20 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110EE03 ,  5F110EE09 ,  5F110EE24 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG23 ,  5F110GG32 ,  5F110HK03 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ19
引用特許:
審査官引用 (4件)
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