特許
J-GLOBAL ID：200903011819456981
磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びに、これを用いた磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
四宮 通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-415810
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241763
出願日： 2003年12月12日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：
【課題】 アニールによる素子特性の劣化を低減する。【解決手段】 磁気抵抗効果素子2は、基体の一方の面側に形成された磁気抵抗効果層24〜27と、前記磁気抵抗効果層24〜27の周囲に設けられた2層の絶縁層33,34を有する。2層の絶縁層33,34のうちの最も基体側の層33は、金属又は半導体の酸化物からなる。最も基体側の層33は、磁気抵抗効果層24〜27を構成する互いに異なる材料からなる複数の層の端面に跨って、当該複数の層の端面に同一材料で接触する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
基体の一方の面側に形成された磁気抵抗効果層と、前記磁気抵抗効果層における磁気検出に有効に関与する有効領域と重ならずに、前記有効領域と接するように形成された絶縁層と、を備え、
前記絶縁層は2層以上からなり、
前記絶縁層の最も前記基体側の層は、金属又は半導体の酸化物からなり、
前記絶縁層の最も前記基体側の層は、前記磁気抵抗効果層を構成する互いに異なる材料からなる複数の層の端面に跨って、当該複数の層の端面に同一材料で接触することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L43/08
, G11B5/39
, H01L43/10
, H01L43/12
H01L43/08 Z
, G11B5/39
, H01L43/10
, H01L43/12
5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034DA07
