半導体層のエッチング方法およびそれを用いた半導体発光素子の製法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-125169
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321592
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】チッ化ガリウム系化合物半導体のようなエッチングマスクの材料との選択比を大きくすることができない半導体層をエッチングする場合にも、薄いエッチングマスクにより厚い半導体層をエッチングすることができる半導体層のエッチング方法およびそれを用いた半導体発光素子の製法を提供する。【解決手段】基板1上に半導体層2を積層し、該積層された半導体層2の表面にエッチングマスク3を形成し、該エッチングマスクの開口部を介して前記積層された半導体層を部分的にエッチングする半導体層のエッチング方法であって、前記エッチングマスクに酸化しやすい金属膜3を用い、該金属膜を酸化させる酸化源を供給しながらエッチングを行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体層を積層し、該積層された半導体層の表面にエッチングマスクを形成し、該エッチングマスクの開口部を介して前記積層された半導体層を選択的にエッチングする半導体層のエッチング方法であって、前記エッチングマスクに酸化しやすい金属膜を用い、該金属膜を酸化させる酸化源を供給しながらエッチングを行うことを特徴とする半導体層のエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 21/306 B , H01L 33/00 C , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

絶縁膜加工法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-213161 出願人：ヤマハ株式会社
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-219740 出願人：沖電気工業株式会社
ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-302516 出願人：キヤノン販売株式会社, キヤノン株式会社

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