窒化物半導体素子の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-039758
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188423
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【目的】新規な窒化物半導体素子の形成方法を提供することにより、LED、LDの出力を向上させる。【構成】本発明の窒化物半導体素子の形成方法は、少なくとも窒化物半導体層を含む活性層を形成する活性層形成工程と、前記活性層上部にp型不純物を含む第1の窒化物半導体層を形成する第1窒化物半導体層形成工程と、前記第1の窒化物半導体層上部に、前記第1の窒化物半導体層のp型不純物濃度より少量のp型不純物を含む第2の窒化物半導体層を形成する第2窒化物半導体層形成工程と、前記第2の窒化物半導体層上部に、前記第1の窒化物半導体層のp型不純物濃度よりも多量のp型不純物を含む第3の窒化物半導体層を形成する第3窒化物半導体層形成工程とを少なくとも有する。

請求項（抜粋）：

少なくとも窒化物半導体層を含む活性層を形成する活性層形成工程と、前記活性層上部にp型不純物を含む第1の窒化物半導体層を形成する第1窒化物半導体層形成工程と、前記第1の窒化物半導体層上部に、前記第1の窒化物半導体層のp型不純物濃度より少量のp型不純物を含む第2の窒化物半導体層を形成する第2窒化物半導体層形成工程と、前記第2の窒化物半導体層上部に、前記第1の窒化物半導体層のp型不純物濃度よりも多量のp型不純物を含む第3の窒化物半導体層を形成する第3窒化物半導体層形成工程とを少なくとも有することを特徴とする窒化物半導体素子の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01S 5/323

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体レーザー
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-205919 出願人：ソニー株式会社
特開平2-033993
特開平2-033993

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