特許
J-GLOBAL ID:200903011840675723
ニッケル金属膜を用いたレーザーによる回路形成方法及び導電回路形成部品
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
古谷 馨 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-022513
公開番号(公開出願番号):特開平8-222836
出願日: 1995年02月10日
公開日(公表日): 1996年08月30日
要約:
【要約】【目的】 表面に正確な導電回路を有する成形品を、効率よく製造する方法を提供する。【構成】 金属被覆可能な合成樹脂成形品の表面にニッケル薄膜を形成し、絶縁回路となる部分にレーザー光を照射して、ニッケル薄膜を除去し回路パターンを形成した後、該回路パターン上に電気メッキを行って所望の厚さの導電回路を形成する。
請求項(抜粋):
金属被覆可能な合成樹脂成形品の表面にニッケル薄膜を形成し、絶縁回路となる部分にレーザー光を照射して、ニッケル薄膜を除去し回路パターンを形成した後、該回路パターン上に電気メッキを行って所望の厚さの導電回路を形成することを特徴とする回路形成方法。
IPC (4件):
H05K 3/18
, H05K 3/06
, H05K 3/08
, H05K 3/24
FI (4件):
H05K 3/18 E
, H05K 3/06 A
, H05K 3/08 D
, H05K 3/24 A
引用特許: