特許
J-GLOBAL ID：200903011846240702

真空マイクロデバイスおよびその製造方法

発明者：
鈴木 健一郎

鈴木 健一郎 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-071904
公開番号（公開出願番号）：特開平9-259740
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 電界放出型冷陰極構造の真空マイクロデバイスでは、第一電極(エミッタ電極)の尖った先端付近に設けられた第二電極(ゲート電極)が印加電圧によって第一電極先端に曲げられ、かつ形状ばらつきが生じる。【解決手段】 エミッタ電極11の尖った先端付近に設けられたゲート電極13を、先端から離れるに従ってその厚さが厚くなる形状とする。これにより機械的剛性が増大される。また、ゲート電極13がシリコン基板に設けた不純物層で形成することにより、従来のエッチバックプロセスが不要となり、形状ばらつきが解消され、かつ製造が容易なものとなる。
請求項（抜粋）：
表面側に先端を尖らせた形状部が設けられた第一の電極と、前記尖らせた形状部分を除く前記第1の電極の表面上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された第二の電極とを備える真空マイクロデバイスにおいて、前記第二の電極は、前記第一の電極の尖らせた形状部分から離れる方向に向けてその電極厚さが厚くされていることを特徴とする真空マイクロデバイス。
IPC (3件)：
H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01J 19/24
FI (3件)：
H01J 1/30 B ,  H01J 9/02 B ,  H01J 19/24
引用特許：
審査官引用 (4件)
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