特許
J-GLOBAL ID：200903089995396501

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
秋田 勝史

秋田 勝史 について

, 
元木 健作

元木 健作 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 上代 哲司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-222090
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068157
出願日： 1997年08月19日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 発光素子への加工等が容易で、且つ良好な発光をする発光素子を提供する。【解決手段】 導電性基板8がFe-Ni合金であって、前記導電性接着剤がAu-Sn半田7である。本発明による半導体発光素子の製造方法は、GaAs(111)A基板1に発光層を含むGaN系半導体層の積層を成長した後、導電性の接着剤により前記積層表面に設けた電極面と導電性基板とを接着した後、GaAs(111)A基板1を除去する。GaAs(111)A基板1をアンモニア系エッチャントによるウェットエッチングによって除去する。
請求項（抜粋）：
p型電極が設けられたp型窒化ガリウム(GaN)層若しくはn型電極が設けられたn型窒化ガリウム(GaN)層、前記p型若しくはn型電極に導電性接着剤で接着された導電性基板、及び前記p型若しくはn型窒化ガリウム層(GaN)上であってp型若しくはn型電極が設けられている面とは反対面の上に成長した発光層を含む窒化ガリウム(GaN)系半導体層からなる積層とで構成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (10件)
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