特許
J-GLOBAL ID：200903087713029703
発光素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-375211
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207508
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】反射金属層を用いた発光素子において、光取出効率が高く、しかも、波長依存性が小さい発光素子を提供する。【解決手段】化合物半導体よりなる発光層部24の一方の主表面を光取出面とし、該発光層部24の他方の主表面側に素子基板7が結合される。また、素子基板7と発光層部24との間には、全体がAgを主成分に構成され、該発光層部からの光を前記光取出面側に反射させるAg系反射金属層10を含むAg系金属層が配置される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
発光層部を有した化合物半導体層の一方の主表面を光取出面とし、該化合物半導体層の他方の主表面側に素子基板が結合されるとともに、該素子基板と前記化合物半導体層との間に、全体がAgを主成分に構成され、前記発光層部からの光を前記光取出面側に反射させるAg系反射金属層を含むAg系金属層を介在させたことを特徴とする発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA83
, 5F041CA85
, 5F041CB15
