特許
J-GLOBAL ID:200903011896881741

半導体発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 日向寺 雅彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-243981
公開番号(公開出願番号):特開2006-066449
出願日: 2004年08月24日
公開日(公表日): 2006年03月09日
要約:
【課題】 活性層から放出される光の取り出し効率を改善した半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 発光層と金属電極との間にコンタクト層を選択的に設けることにより、オーミック接触と光反射とを両立させる。また、基板と電極との界面に反応抑制膜を選択的に設けることより、オーミック接触と光反射とを両立させる。また、基板の裏面に段差を設け、その側面において電極を接触させることにより、オーミック接触と光反射とを両立させる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板と、 前記基板の上に設けられた発光層と、 前記発光層の上に設けられた電極と、 前記発光層と前記電極との間に選択的に設けられたコンタクト層と、 を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件):
H01L 33/00
FI (1件):
H01L33/00 B
Fターム (18件):
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15 ,  5F041DA18 ,  5F041DA19 ,  5F041DA26 ,  5F041DA36 ,  5F041DA43 ,  5F041DB01 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 半導体発光素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-155979   出願人:ローム株式会社
審査官引用 (5件)
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