特許
J-GLOBAL ID：200903021187862330
発光素子及び半導体素子用オーミック電極構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-023379
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235505
出願日： 2003年01月31日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】AlGaInP又はInGaAlNとAg系反射金属層との間に良好なオーミック接触を形成でき、かつ、青色から緑色の光に対する光取出効率を一層高めることができる発光素子を提供する。【解決手段】発光素子100は、透明導電性基板であるn型GaP単結晶よりなるGaP基板7の主表面上に、発光層部24が透明導電層30を介して貼り合わされた構造を有する。GaP基板7の主裏面は、例えばAg層よりなるAg系反射金属層15にて覆われている。また、GaP基板7とAg系反射金属層15との間には、AgGeNiコンタクト金属とGaP基板7の表面部とが合金化したAgGeNiコンタクト層32が、Ag系反射金属層15の主表面上に分散形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第一の化合物半導体よりなるピーク波長が450nm以上580nm以下の発光層部の主表面側に光取出面が形成される一方、前記発光層部の主裏面、又は該発光層部の主裏面に電気的に結合された前記発光光束に対して透明な第二の化合物半導体よりなる補助化合物半導体層の主裏面に、Agを主成分とするAg系コンタクト金属と前記主裏面をなす化合物半導体との合金化層よりなるAg系コンタクト層が形成され、さらに、そのAg系コンタクト層を覆うとともに、前記発光層部からの光を前記光取出面側に反射させる、Agを主成分とする金属よりなるAg系反射金属層が形成されたことを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L33/00 B
, H01L21/28 301B
, H01L21/28 301R
4M104AA04
, 4M104AA07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104DD78
, 4M104DD83
, 4M104FF11
, 4M104GG04
, 4M104GG06
, 4M104GG12
, 4M104HH15
, 5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA46
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA86
, 5F041CA88
, 5F041CA93
