特許
J-GLOBAL ID：200903011917382619
薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350619
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189990
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】歩留りの低下や表示不良の発生を防止することが可能なアクティブマトリックス方式の表示装置を提供する。【解決手段】TFT106の能動層となる多結晶シリコン膜11において、ドレイン領域82およびソース領域83に対応する部分のグレインサイズが、チャネル領域93に対応する部分のグレインサイズに比べて大きくなっている。そのため、各領域82,83のシート抵抗は減少し、TFT106のオン電流は増大する。各領域82,83のグレインサイズを所望値にするには、ELAエネルギーを最適化するだけでよい。ELAエネルギーの最大値Eは、各領域82,83のグレインサイズがチャネル領域93のそれよりも小さくなるレベルに設定する。また、ELAエネルギーの最小値は、必要な素子特性を確保するのに必要なチャネル領域93のグレインサイズに応じて設定する。
請求項（抜粋）：
能動層として多結晶シリコン膜を用い、その多結晶シリコン膜におけるドレイン領域およびソース領域に対応する部分のグレインサイズが、チャネル領域に対応する部分のグレインサイズに比べて等しいか又は大きい薄膜トランジスタ。
IPC (8件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, G09F 9/30 343
, H01L 21/84
, H01L 27/12
H01L 29/78 627 G
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, G09F 9/30 343 E
, H01L 27/12 R
, H01L 21/84
, H01L 29/78 616 V
