特許
J-GLOBAL ID：200903011938058110

EL表示装置の作製方法及び薄膜形成装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-221835
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102170
出願日： 2000年07月24日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 信頼性の高いEL表示装置の作製方法及びそれに用いる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】 共通室103に複数の処理室が設けられ、複数の処理室には酸化用処理室107、溶液塗布用処理室108、焼成用処理室109、気相成膜用処理室110、111が含まれる。このような薄膜形成装置を用いることで、外気に触れることなく高分子系EL材料を用いたEL素子の作製が可能となる。これにより信頼性の高いEL表示装置を作製することができる。
請求項（抜粋）：
搬送室と、基板を搬送する機構を含む共通室と、複数の処理室と、を有する薄膜形成装置であって、前記複数の処理室には、溶液塗布用処理室、焼成用処理室および気相成膜用処理室が含まれることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (7件)：
H05B 33/10 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/14 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31 ,  H05B 33/14
FI (7件)：
H05B 33/10 ,  C23C 14/06 A ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/14 D ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/31 A ,  H05B 33/14 A
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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