半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-209342
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036180
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】レーザチップの放熱性を向上させると共に、半導体レーザ装置の製造工程、および完成後においてレーザチップが損傷を受ける可能性を無くし、従来の半導体レーザ装置において必要不可欠であったキャップを省略することができる半導体レーザ装置を提供すること。【解決手段】半導体レーザ装置は、レーザチップと、レーザチップを突出させることなくその間に挟持する第1および第2サブマウントとを備え、レーザチップは第1および第2サブマウントを介して通電される。

請求項（抜粋）：

レーザチップと、レーザチップを突出させることなくその間に挟持する第1および第2サブマウントとを備え、レーザチップは第1および第2サブマウントを介して通電されることを特徴とする半導体レーザ装置。

Fターム (9件)：

5F073BA06 , 5F073FA02 , 5F073FA13 , 5F073FA14 , 5F073FA15 , 5F073FA16 , 5F073FA22 , 5F073FA24 , 5F073FA28

引用特許：

審査官引用 (15件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-210163 出願人：三菱電機株式会社
半導体レーザとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-224130 出願人：住友電気工業株式会社
特開平4-044286

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