特許

J-GLOBAL ID：200903011956837950

電子回路基板の製造方法およびその電子回路基板

発明者： 山口 英二 ,  丹羽 明
出願人/特許権者： 新東ブレーター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-049931
公開番号（公開出願番号）：特開2009-206443
出願日： 2008年02月29日
公開日（公表日）： 2009年09月10日
要約：

【課題】電子回路基板に前もって形成された貫通孔あるいは止り穴に導電性金属粒子を効率よく付着堆積させて電極または配線となる導電体を確実に形成することができる電子回路基板の製造方法およびその方法で製造された電子回路基板を提供すること。【解決手段】電子回路基板に形成された貫通孔または有底の止り穴にコールドスプレー法により導電性金属粒子を付着堆積させて電極または配線となる導電体を形成する方法。前記導電性金属粒子を温度が20〜400°Cの圧力気体に混合してなる混合気体を前記貫通孔あるいは止り穴に噴射して前記導電性金属粒子を固相状態のまま塑性変形させて付着堆積させて充填する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電子回路基板に形成された貫通孔または有底の止り穴にコールドスプレー法により導電性金属粒子を付着堆積させて電極または配線となる導電体を形成する方法であって、前記導電性金属粒子を温度が20〜400°Cの圧力気体に混合調製してなる混合気体を前記貫通孔あるいは止り穴に噴射して前記導電性金属粒子を固相状態のまま塑性変形させて付着堆積させて充填するようにしたことを特徴とする電子回路基板の製造方法。

IPC (4件)：

H05K 3/40 ,  H05K 1/09 ,  H05K 1/03 ,  C23C 24/04

FI (4件)：

H05K3/40 E ,  H05K1/09 A ,  H05K1/03 610E ,  C23C24/04

Fターム (36件)：

4E351AA09 ,  4E351BB01 ,  4E351CC15 ,  4E351CC31 ,  4E351CC33 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD06 ,  4E351DD08 ,  4E351DD10 ,  4E351DD12 ,  4E351DD19 ,  4E351DD20 ,  4E351DD52 ,  4E351GG20 ,  4K044AA13 ,  4K044AB02 ,  4K044AB03 ,  4K044BA06 ,  4K044BA08 ,  4K044BA10 ,  4K044BB01 ,  4K044BB11 ,  4K044BC14 ,  4K044CA29 ,  4K044CA51 ,  4K044CA53 ,  5E317AA24 ,  5E317BB04 ,  5E317BB12 ,  5E317BB13 ,  5E317BB14 ,  5E317BB15 ,  5E317CC60 ,  5E317CD27 ,  5E317GG16

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 貫通孔内配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-150024   出願人：キヤノン株式会社
• 回路基板の製造方法および回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-053141   出願人：日立金属株式会社

審査官引用 (2件)

• 特開昭55-018013
  
• 配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-140498   出願人：富士電機ホールディングス株式会社