半導体レーザおよび半導体レーザモジュール

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-299313
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124541
出願日： 1998年10月21日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザの駆動電流を制御する従来の光出力制御方法では安定した光出力を維持するとともに、その発振波長を安定に維持、動作させることが極めて困難な課題であった。【解決手段】半導体レーザ1は一定電流駆動(ACC駆動)で動作させ、光出力変動を電界吸収部4における光減衰量若しくは半導体増幅器20における増幅率(ゲイン)を制御することで、半導体レーザの駆動電流を変化させることなく安定な光出力を得る。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子と電界吸収型外部変調器と各々に電気的に絶縁された外部変調器と同一構造の電界吸収部を集積し、該半導体レーザから発光した光を該外部変調器部に与えた高周波電気信号に応じた光強度変調をなすとともに、該電界吸収部に定電圧信号に応じて光出力を制御する機能を有することを特徴とする半導体レーザ。

IPC (6件)：

H01S 5/062 , H04B 10/28 , H04B 10/26 , H04B 10/14 , H04B 10/04 , H04B 10/06

FI (2件)：

H01S 3/18 631 , H04B 9/00 Y

Fターム (23件)：

5F073AA61 , 5F073AB21 , 5F073AB27 , 5F073AB30 , 5F073BA01 , 5F073EA03 , 5F073EA15 , 5F073FA18 , 5F073FA25 , 5F073GA03 , 5F073GA12 , 5F073GA22 , 5F073GA34 , 5K002AA01 , 5K002BA02 , 5K002BA07 , 5K002BA13 , 5K002BA31 , 5K002CA09 , 5K002CA10 , 5K002CA11 , 5K002CA16 , 5K002FA01

引用特許：

審査官引用 (7件)

光パルス発生制御素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-084965 出願人：日本電信電話株式会社
光モジュールの製造方法および光モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-034616 出願人：古河電気工業株式会社
特開平4-061390

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