特許
J-GLOBAL ID：200903011964538694

磁気素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置

発明者：
斉藤 好昭

斉藤 好昭 について

, 
猪俣 浩一郎

猪俣 浩一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-039342
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238923
出願日： 1998年02月20日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：
【要約】【課題】 所望の出力電圧値を得るために、強磁性トンネル接合素子に流す電流値を増やしても磁気抵抗変化率の減少が少なく、大きな出力電圧が得られる磁気素子が求められている。【解決手段】 トンネル電流を流し得る厚さを有する絶縁層3と、この絶縁層3を挟持するように配置された第1および第2の強磁性膜2、4とを具備する磁気素子1であって、第1および第2の強磁性膜2、4の少なくとも一方は非磁性体6で分断されている。あるいは、誘電体マトリックス中に分散させた強磁性微粒子を有し、かつ保磁力を持つグラニュラー磁性膜と、このグラニュラー磁性膜と近接配置された強磁性膜とを具備し、グラニュラー磁性膜と強磁性膜との間にトンネル電流を流す磁気素子であって、強磁性膜は非磁性体で分断されている。
請求項（抜粋）：
トンネル電流を流し得る厚さを有する絶縁層と、前記絶縁層を挟持するように配置された第1の強磁性膜および第2の強磁性膜とを具備する磁気素子において、前記第1の強磁性膜および第2の強磁性膜の少なくとも一方は非磁性体で分断されていることを特徴とする磁気素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39
FI (3件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/06 R
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM