特許
J-GLOBAL ID：200903011966061453
酸化亜鉛基積層構造体及びその製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-209145
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072067
出願日： 2003年08月27日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】電子素子として酸化亜鉛半導体を利用するに際して、特に、状態の異なる酸化亜鉛結晶を複合化して電荷分離を起こさせることは有効である。【解決手段】格子体積Va、ドナー濃度Naである酸化亜鉛、又は、酸化亜鉛固溶体層と、格子体積Vb、ドナー濃度Nbである酸化亜鉛、又は、酸化亜鉛固溶体層という2層からなる酸化亜鉛積層構造体であって、その両者の間に、Va<Vbであり、かつ、Na>Nbである関係が成立した積層構造体であり、格子体積がVaとなっている層を電荷供給層、格子体積がVbとなっている層を電荷受容層とした積層構造体であり、この積層構造体に対して外部から電場を加えていない状態においても、電荷供給層となる層から、電荷受容層となる層への電荷が移動した状態を実現し、この電荷供給層から電荷受容層への電荷の移動が原因となった空乏層が電荷供給層中に形成されることを特徴とする酸化亜鉛基積層構造体。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
格子体積Va、ドナー濃度Naである酸化亜鉛、又は、酸化亜鉛固溶体層と、格子体積Vb、ドナー濃度Nbである酸化亜鉛、又は、酸化亜鉛固溶体層という2層からなる酸化亜鉛積層構造体であって、その両者の間に、Va<Vbであり、かつ、Na>Nbである関係が成立した積層構造体であり、格子体積がVaとなっている層を電荷供給層、格子体積がVbとなっている層を電荷受容層とした積層構造体であり、この積層構造体に対して外部から電場を加えていない状態においても、電荷供給層となる層から、電荷受容層となる層への電荷が移動した状態を実現し、この電荷供給層から電荷受容層への電荷の移動が原因となった空乏層が電荷供給層中に形成されることを特徴とする酸化亜鉛基積層構造体。
IPC (4件)：
H01L29/227
, H01L21/338
, H01L29/778
, H01L29/812
5F102GB01
, 5F102GL01
, 5F102GM01
, 5F102GQ01
, 5F102HC01
, 5F102HC11
, 5F102HC21
