MOS集積回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河野登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-337473
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074347
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】ゲートが放電する電荷を効率よく再利用して消費電力が小さいMOS集積回路の提供。【解決手段】外部から与えられる第1電圧Vccと第1電圧Vccより低い第2電圧とを受けて作動するMOS集積回路。第1電圧Vccと第2電圧との任意の中間電圧Vmid が与えられる1又は複数の中間電圧ノードと、第1電圧Vcc、第2電圧及び中間電圧ノードから与えられる1又は複数の中間電圧Vmid の電圧間でそれぞれ作動する複数の動作回路21,22,23,24と、中間電圧ノードを中間電圧Vmid に安定させるためのノード安定化回路27とを備えている。

請求項（抜粋）：

外部から与えられる第1電圧と第1電圧より低い第2電圧とを受けて作動するMOS集積回路において、第1電圧と第2電圧との任意の中間電圧が与えられる1又は複数の中間電圧ノードと、第1電圧、第2電圧及び前記中間電圧ノードから与えられる前記1又は複数の中間電圧の電圧間でそれぞれ作動する複数の動作回路と、前記中間電圧ノードを前記中間電圧に安定させるためのノード安定化回路とを備えることを特徴とするMOS集積回路。

IPC (5件)：

H03K 19/00 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H03K 19/0175 , H03K 19/0948

FI (4件)：

H03K 19/00 A , H01L 27/08 321 L , H03K 19/00 101 F , H03K 19/094 B

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開平4-315313
特開平4-109720
特開平4-042313

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