スピントランジスタ磁性ランダムアクセスメモリデバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 大塩竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-097244
公開番号（公開出願番号）：特開2004-297072
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】伝導性の整合によりスピン注入が改良されたスピントロニックデバイスを提供すること。【解決手段】強磁性半導体/半導体ヘテロ接合を利用するスピントランジスタが開示される。強磁性半導体層は、通常の電界効果トランジスタのソースおよびドレイン上に直接ヘテロ接合を形成する。鉄ドープチタン酸化物のような室温の強磁性半導体材料を利用して、スピントランジスタは、半導体ソースおよびドレインを有する強磁性半導体の伝導性の整合により、スピン注入効率が改良され得る。スピントランジスタは、さらに書き込みプレートを含み、メモリ状態を提供する強磁性層の磁気分極を変更する。スピントランジスタは、磁気モーメント誘導抵抗性の変化を利用することによって、潜在的に大きなメモリ信号を有する磁性ランダムアクセスメモリのメモリセルとして利用され得る。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

伝導性の整合によりスピン注入が改良されたスピントロニックデバイスであって、該スピントロニックデバイスは、第1の強磁性半導体層と、第2の強磁性半導体層と、該第1の強磁性半導体層と該第2の強磁性半導体層との間に堆積された半導体層であって、該半導体層は、該強磁性半導体層とのヘテロ接合を形成する、半導体層とを含む、スピントロニックデバイス。

IPC (2件)：

H01L27/105 , H01L29/82

FI (2件)：

H01L27/10 447 , H01L29/82 T

Fターム (11件)：

5F083FZ10 , 5F083HA06 , 5F083JA35 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083KA19 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA19 , 5F083LA20

引用特許：

出願人引用 (9件)

米国特許第5,565,695号明細書
米国特許第5,652,445号明細書
米国特許第5,654,566号明細書

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審査官引用 (5件)

磁気抵抗素子および磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-190984 出願人：松下電器産業株式会社
電圧駆動型スピンスイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-102745 出願人：新日本製鐵株式会社
スピン偏極伝導電子生成方法および半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-061721 出願人：東北大学長

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Electronic structures of doped anatase TiO2: Ti1-xMxO2(M=Co, Mn, Fe, Ni)

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