特許
J-GLOBAL ID：200903012046319242

磁気検出素子

発明者：
斎藤 正路

斎藤 正路 について

, 
井出 洋介

井出 洋介 について

, 
長谷川 直也

長谷川 直也 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (2件)： 野▲崎▼ 照夫 ,  三輪 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-250658
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095583
出願日： 2002年08月29日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】ΔRの大きなスピンバルブ型の磁気検出素子を提供する。【解決手段】第1フリー磁性層53、第2フリー磁性層55、固定磁性層24、それぞれを形成する磁性材料のβの正負を規定して、抵抗値が最も低くなるようにフリー磁性層26の磁化が変化したときに、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値をダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくさせることにより、磁気検出素子の抵抗変化ΔRを大きくすることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層が順に積層されている多層膜を有する磁気検出素子において、 前記フリー磁性層は、第1フリー磁性層の上に第2フリー磁性層が、非磁性中間層を介して積層されたものであり、 前記第1フリー磁性層、前記固定磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第2フリー磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第1フリー磁性層のβと異なっているか、または、前記第2フリー磁性層、前記固定磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第1フリー磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第2フリー磁性層のβと異なっていることを特徴とする磁気検出素子。 ただし、βは、ρ↓/ρ↑=(1+β)/(1-β) (-1≦β≦1)の関係式を満たす磁性材料に固有の値である(なお、ρ↓は、伝導電子のうちマイノリティーの伝導電子に対する比抵抗値であり、ρ↑は、伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する比抵抗値である)。
IPC (4件)：
H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32
FI (5件)：
H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32
Fターム (8件)：
5D034BA03 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12
引用特許：
審査官引用 (3件)

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