光触媒装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：樋口武尚
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-124921
公開番号（公開出願番号）：特開2006-247654
出願日： 2006年04月28日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：

【課題】太陽光等が当たらない場所にも適用することができ、また、狭い場所等にも適用可能なコンパクトな構造に形成することができ、かつ、消費電力も少ないこと。【解決手段】380から390nmの波長の光に対して吸収スペクトルピークを有する光触媒2を担持した光触媒反応表面を有する基体1と、前記光触媒を照射可能に配置され、波長360〜400nmの紫外線を主に放射するpn接合された窒化ガリウム(GaN)系光半導体の結晶体からなる発光ダイオード3とを具備し、光触媒の活性化のための紫外線を比較的狭いスペクトルで効率良く放射させることができると共に、その個数を調整すること等によって光触媒反応に必要とされる量に応じた紫外線容量を放射させることができ、消費電力の少ない装置を形成することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

380から390nmの波長の光に対して吸収スペクトルピークを有する光触媒を担持した光触媒反応表面を有する基体と、前記光触媒を照射可能に配置され、波長360〜400nmの紫外線を主に放射するpn接合された窒化ガリウム(GaN)系光半導体の結晶体からなる発光ダイオードとを具備することを特徴とする光触媒装置。

IPC (5件)：

C02F 1/32 , C02F 1/72 , B01J 35/02 , B01J 35/06 , B01J 37/00

FI (5件)：

C02F1/32 , C02F1/72 101 , B01J35/02 J , B01J35/06 K , B01J37/00 K

Fターム (42件)：

4D037AA02 , 4D037AA11 , 4D037AB03 , 4D037AB04 , 4D037BA18 , 4D037BB09 , 4D050AA04 , 4D050AA12 , 4D050AB04 , 4D050AB06 , 4D050BB01 , 4D050BC06 , 4D050BC09 , 4D050BD03 , 4G169AA03 , 4G169AA08 , 4G169BA04A , 4G169BA04B , 4G169BA14A , 4G169BA14B , 4G169BA48A , 4G169CA05 , 4G169CA07 , 4G169CA10 , 4G169CA17 , 4G169CA19 , 4G169DA05 , 4G169EA03X , 4G169EA03Y , 4G169EA09 , 4G169EB03 , 4G169EB05 , 4G169FA03 , 4G169FB23 , 4G169HA01 , 4G169HA05 , 4G169HB01 , 4G169HD10 , 4G169HE05 , 4G169HE07 , 4G169HF02 , 4G169HF03

引用特許：

審査官引用 (8件)

酸化チタン薄膜光触媒及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-269637 出願人：工業技術院長
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-336011 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-079046 出願人：日亜化学工業株式会社

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