特許

J-GLOBAL ID：200903012094006787

固体薄膜二次電池を内蔵する半導体装置

発明者： 馬場 守
出願人/特許権者： 独立行政法人 科学技術振興機構
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-069100
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281593
出願日： 2003年03月14日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】近い将来のマイクロマシーニング、ナノマシーニングの到来時において、微細加工が可能な電子素子と一体型のマイクロ二次電池は不可欠な技術となる。従来技術は、回路素子やICの基板の上に薄膜電池を搭載させたハイブリッド型ということが出来るもので、いずれも薄膜電池が半導体基板の上にモノリシックに作られたものではなかった。【構成】半導体素子基板の表面改質により形成した多孔質膜を負極活物質とする固体薄膜二次電池を該基板上に形成することにより固体薄膜二次電池をモノリシックに内蔵させたことを特徴とする半導体装置。半導体素子基板に作り込んだ電子素子と固体薄膜二次電池がモノリシックに回路構成できる。多孔質膜は半導体素子基板のSi結晶表面を表面改質して作製した多孔質シリコン膜か半導体素子基板のSiC結晶表面を表面改質して作製したカーボンナノチューブ膜とすることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体素子基板の表面改質により形成した多孔質膜を負極活物質とする固体薄膜二次電池を該基板上に形成することにより固体薄膜二次電池をモノリシックに内蔵させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L21/822 ,  H01L21/3063 ,  H01L27/04 ,  H01M4/02 ,  H01M4/38 ,  H01M4/58 ,  H01M10/40

FI (6件)：

H01L27/04 A ,  H01M4/02 D ,  H01M4/38 Z ,  H01M4/58 ,  H01M10/40 Z ,  H01L21/306 L

Fターム (32件)：

4G072AA01 ,  4G072BB09 ,  4G072BB10 ,  4G072BB15 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ18 ,  4G072MM40 ,  4G072UU30 ,  5F038BB04 ,  5F038BB10 ,  5F038DF05 ,  5F038DF20 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD14 ,  5F043FF10 ,  5H029AJ00 ,  5H029AL02 ,  5H029AL08 ,  5H029AM11 ,  5H029BJ04 ,  5H029BJ12 ,  5H029DJ02 ,  5H050AA00 ,  5H050BA17 ,  5H050CB02 ,  5H050CB09 ,  5H050DA03 ,  5H050FA02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• リチウム2次電池用陰極薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-353330   出願人：三星エスディアイ株式会社
• 半導体コンデンサ構造体および形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-278151   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• カーボンナノチューブの製造方法およびカーボンナノチューブ膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-225487   出願人：株式会社東芝