特許
J-GLOBAL ID：200903012107140330

半導体集積回路装置

発明者：
荒井 勝也

荒井 勝也 について

, 
甲上 歳浩

甲上 歳浩 について

, 
藪 洋彰

藪 洋彰 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (6件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-295245
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064374
出願日： 2003年08月19日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】 外部からのサージに強く、かつ小面積な静電放電保護回路を備えた半導体集積回路を提供する。【解決手段】 本発明の半導体集積回路は、外部接続用端子1と、静電放電保護回路2と、出力回路3と、出力プリバッファ回路4と、入力バッファ回路5と、内部回路51と、電源間静電放電保護回路6と、基板電位制御回路7とを備えている。基板電位制御回路7は容量25と抵抗体26とを有している。外部接続用端子1に正のサージが加わると、NMISトランジスタ24の基板電位も上昇する。NMISトランジスタ24がONになり、外部接続用端子1に供給された正電荷は接地ライン23の方に放電される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
外部接続用端子と、 上記外部接続用端子に接続された静電放電保護回路と、 上記静電放電保護回路に接続された電源ラインと、 上記静電放電保護回路に接続された接地ラインと、 上記電源ラインと上記接地ラインとに接続され、ゲート絶縁型素子を有する電源間静電放電保護回路とを備え、 上記電源間静電放電保護回路は、上記ゲート絶縁型素子の基板電圧を制御することが可能な第1の基板電位制御回路を有する、半導体集積回路装置。
IPC (5件)：
H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092
FI (4件)：
H01L27/04 H ,  H01L27/06 311A ,  H01L27/06 311C ,  H01L27/08 321H
Fターム (23件)：
5F038BG09 ,  5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038BH15 ,  5F038CD02 ,  5F038CD12 ,  5F038CD13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048BE03 ,  5F048BE09 ,  5F048CC01 ,  5F048CC05 ,  5F048CC06 ,  5F048CC09 ,  5F048CC13 ,  5F048CC15 ,  5F048CC16 ,  5F048CC19
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)
  • 半導体集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-121971   出願人：シチズン時計株式会社
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-314894   出願人：松下電器産業株式会社

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