特許
J-GLOBAL ID：200903012201561357
コンタクトストラクチャの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-337754
公開番号（公開出願番号）：特開2000-162241
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 基板の平らな表面上にコンタクトストラクチャを形成するための製造方法を提供する。【解決手段】 この製造方法は、(a)シリコン基板の表面上に犠牲層を形成し、(b)犠牲層上に電気伝導材料による導電層を形成し、(c)導電層上にフォトレジスト層を形成し、(d)フォトレジスト層上にフォトマスクを整列させて、紫外線でフォトレジスト層を露光し、(e)フォトレジスト層の表面上にフォトレジストの溝よりなるイメージを形成(現像)し、(f)エレクトロプレート行程を用いて、フォトレジストの溝に、電気伝導材料によるコンタクトストラクチャを形成し、(g)フォトレジスト層を除去し、(h)シリコン基板からコンタクトストラクチャを分離するために、犠牲層を第一のエッチング行程で取り除き、(i)第二のエッチング行程により、コンタクトストラクチャから伝導層を取り除く,各ステップにより構成される。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の表面上に犠牲層を形成するステップと、その犠牲層上に電気伝導材料による導電層を形成するステップと、その導電層上にフォトレジスト層を形成するステップと、そのフォトレジスト層上にフォトマスクを整列させて、コンタクトストラクチャのイメージを有するそのフォトマスクを介して紫外線によりフォトレジスト層を露光するステップと、上記フォトレジスト層の表面上にフォトレジストの溝よりなるイメージを形成(現像)するステップと、エレクトロプレート行程を用いて、そのフォトレジストの溝に、電気伝導材料によるコンタクトストラクチャを形成するステップと、上記フォトレジスト層を除去するステップと、シリコン基板からコンタクトストラクチャを分離するために、犠牲層を第一のエッチング行程により取り除くステップと、第二のエッチング行程により、コンタクトストラクチャから伝導層を取り除くステップと、より構成されるコンタクトストラクチャの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R 1/073 F
, H01L 21/66 B
