特許

J-GLOBAL ID：200903012220799453

パターン薄膜の形成方法

発明者： 不動寺 浩 ,  小林 幹彦 ,  新谷 紀雄
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-078498
公開番号（公開出願番号）：特開2002-275636
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：

【要約】【課題】 簡便かつ安価に高い制御性を持つナノメータスケールでのパターン薄膜形成を実現する新しいパターン薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 膜形成物質を含有する前駆体溶液中において絶縁性基板上にパターン薄膜を形成するパターン薄膜の形成方法であって、まず、絶縁性基板(2)上に帯電パターン(3)を形成し、次いで、絶縁性基板(2)を前駆体溶液中に浸し、膜形成物質を絶縁性基板(2)上に形成された帯電パターン(3)上に析出させる。

請求項（抜粋）：

膜形成物質を含有する前駆体溶液中において絶縁性基板上にパターン薄膜を形成するパターン薄膜の形成方法であって、絶縁性基板上に帯電パターンを形成し、次いで、絶縁性基板を前駆体溶液中に浸し、膜形成物質を絶縁性基板上に形成された帯電パターン上に析出させることを特徴とするパターン薄膜の形成方法。

IPC (5件)：

C23C 18/06 ,  C23C 18/12 ,  H01C 17/06 ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/316

FI (6件)：

C23C 18/06 ,  C23C 18/12 ,  H01C 17/06 N ,  H01C 17/06 K ,  H01L 21/316 B ,  H01G 4/06 102

Fターム (35件)：

4K022AA01 ,  4K022AA03 ,  4K022AA04 ,  4K022AA05 ,  4K022AA42 ,  4K022AA43 ,  4K022BA15 ,  4K022BA22 ,  4K022BA28 ,  4K022BA33 ,  4K022BA35 ,  4K022CA12 ,  4K022DA06 ,  4K022DB01 ,  4K022DB07 ,  4K022EA01 ,  5E032AB01 ,  5E032BA11 ,  5E032CB01 ,  5E032CC14 ,  5E032CC18 ,  5E082AB03 ,  5E082BB10 ,  5E082BC40 ,  5E082EE05 ,  5E082EE31 ,  5E082FG03 ,  5E082FG41 ,  5E082KK01 ,  5E082MM01 ,  5F058BA20 ,  5F058BB06 ,  5F058BC03 ,  5F058BF41 ,  5F058BH03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 酸化物系セラミックス膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-280291   出願人：株式会社アドバンス
• 特開昭52-082645
  
• 複合酸化物膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-063296   出願人：株式会社関西新技術研究所
• 特許第3120112号