特許
J-GLOBAL ID：200903012244510098

電界発光素子及びその製造方法

発明者：
定別当 裕康

定別当 裕康 について


出願人/特許権者：
カシオ計算機株式会社

カシオ計算機株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-211241
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040371
出願日： 1997年07月23日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 リソグラフィ工程に伴う電極材料の劣化や有機EL層の劣化を防止してダークスポットの発生を抑え、高寿命な電界発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 有機EL層13上に、MgInでなる第1金属膜14を3nm〜5nm程度の膜厚に蒸着し、その上にAl、Crなどのドライエッチング可能な第2金属膜15を蒸着して積層する。第2金属膜15の上にフォトレジスト16をパターニングして、ドライエッチングを行って第1金属膜14を露出させる。次ぎに、02アッシングを行って、露出部分の第1金属膜14を酸化して高抵抗化させ、実質的に第1金属膜14のパターニングを行う。このように、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術を用いて、カソード電極をパターニングできるため、微細なカソード電極を形成することが可能となる。このとき、リソグラフィ工程での現像液や水分が第1金属膜14や有機EL層13へ到達しないため、特性の良好な高寿命な電界発光素子10を実現することができる。
請求項（抜粋）：
有機EL層の両面に電極が設けられた電界発光素子であって、前記有機EL層の一方の面に設けられた前記電極が、当該有機EL層に接合する第1金属膜と、前記第1金属膜より上に積層されるドライエッチング可能な第2金属膜と、を備えることを特徴とする電界発光素子。
IPC (2件)：
H05B 33/26 ,  H05B 33/10
FI (2件)：
H05B 33/26 ,  H05B 33/10
引用特許：
審査官引用 (12件)
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