特許
J-GLOBAL ID：200903058230106677

窒化物系半導体レーザ素子

発明者：
林 伸彦

林 伸彦 について

, 
後藤 壮謙

後藤 壮謙 について

, 
狩野 隆司

狩野 隆司 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 福島 祥人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-316790
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124737
出願日： 2000年10月17日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：
【要約】【課題】 安定な垂直基本横モードを得ることが可能でありしきい値電流の低減化を図ることが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子100は、MgがドープされたGaNからなるp-GaN基板1上に、MgがドープされたGaNからなるp-GaNバッファ層2、MgがドープされたInGaNからなるp-InGaNクラック防止層3、MgがドープされたAlGaNからなるp-AlGaNクラッド層4、発光層5、SiがドープされたAlGaNからなるn-AlGaNクラッド層6およびSiがドープされたGaNからなるn-GaNコンタクト層7が順に積層されてなる。半導体レーザ素子100においては、Mgがドープされたp-GaN基板1および各層2〜4において、発光層5から漏れ出した光を吸収することが可能となる。
請求項（抜粋）：
基板上に活性層を含む窒化物系半導体層が形成されてなる窒化物系半導体レーザ素子であって、前記基板は、前記活性層から漏れ出した光を吸収可能な材料から構成されることを特徴とする窒化物系半導体素子。
Fターム (10件)：
5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073EA18 ,  5F073EA23
引用特許：
審査官引用 (4件)
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