特許
J-GLOBAL ID:200903012266589232

容量型力学量センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松下 義治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-299517
公開番号(公開出願番号):特開2005-069852
出願日: 2003年08月25日
公開日(公表日): 2005年03月17日
要約:
【課題】 電極上のヒロック発生を回避でき、低コストで、電極の膜剥がれ等の無い信頼性に優れた容量型力学量センサを得ること。【解決手段】 容量型力学量センサにおける振動体上下に配置した金属電極に溝や穴のパターンを形成することにより、Al等の単一電極を用いてもヒロック発生を回避でき、電極の膜剥がれを低減でき、且つ低コスト化も図ることが可能となる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
梁により支持され、外部より印加される加速度や角速度といった力学量により変位する錘を有する半導体基板と、 前記半導体基板の表面の一部と接合し、前記錘の対向する位置に微小隙間1を隔てて配置した固定電極1を積層させた、上部基板と、 前記半導体基板の裏面の一部と接合し、前記錘の対向する位置に微小隙間2を隔てて配置した固定電極2を積層させた、下部基板とから成り、 前記錘の変位による、前記固定電極1及び前記固定電極2の容量変化から前記力学量を測定する容量型力学量センサにおいて、 前記固定電極1の一部、若しくは前記固定電極2の一部に、複数の溝、若しくは複数の穴を形成することを特徴とする容量型力学量センサ。
IPC (3件):
G01P15/125 ,  G01P3/44 ,  H01L29/84
FI (3件):
G01P15/125 Z ,  G01P3/44 Z ,  H01L29/84 Z
Fターム (9件):
4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA31 ,  4M112EA03 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112FA20
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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